直拉单晶硅工艺技术汇编

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单晶硅被广泛地用来制作电子元件﹐如：变容二极管、雪崩二极管、开关管、微波晶体管、整流器件、探测器、晶闸管、大规模集成电路等。集成电路又可分为线性电路、数字电路、双极电路、微处理器、逻辑电路和记忆电路等类别。近几年来﹐随着光伏产业的迅猛发展﹐单晶硅又被用来制作太阳能电池﹐呈现岀供不应求的局面。目前﹐生产单晶硅的方法主要有直拉法、区熔法﹐其他方法如基座法、片状生长法、气相生长法、外延法等﹐都因各自的不足未能被普遍推广。直拉法和区熔法比较﹐又以直拉法为主要﹐它的投料量多、生产的单晶直径大﹐设备自动化程度高﹐工艺比较简单﹐生产效率高。直拉法生产的单晶硅﹐占世界单晶硅总量的70%以上。本资料主要内容包括单晶炉的基本知识、直拉单晶炉、直拉单晶炉的热系统及热场、晶体生长控制器、原辅材料的准备、直拉单晶硅生长技术、铸锭多晶硅工艺、掺杂技术等内容。

资料目录

第1章 单晶硅的基本知识
1.1 晶体和非晶体
1.2 单晶和多晶
1.3 空间点阵和晶胞
1.4 晶面和晶向
1.5 晶体的熔化和凝固
1.6 结晶过程的宏观特征
1.7 晶核的形成
1.8 二维晶核的形成
1.9 晶体的长大
1.10 生长界面结构模型
第2章 直拉单晶炉
2.1 直拉单晶炉设备简介
2.2 直拉单晶炉的结构
2.3 机械部分
2.4 电气部分
2.5 直拉单晶炉的工作环境
第3章 直拉单晶炉的热系统及热场
3.1 热系统
3.2 热系统的安装与对中
3.3 热场
3.4 温度梯度与单晶生长
3.5 热场的调整
第4章 晶体生长控制器
4.1 CGC-101A型晶体生长控制器功能简介
4.2 CGC-101A型晶体生长控制器的开关状态说明
4.3 CGC-101A型晶体生长控制器的键盘操作说明
4.4 CGC-101A型晶体生长控制器参数设置及定义
4.5 CGC-101A型晶体生长控制器使用说明
第5章 原辅材料的准备
5.1 硅原料
5.2 石英坩埚
5.3 掺杂剂与母合金
5.4 其他材料
5.5 原辅材料的腐蚀和清洗
5.6 腐蚀原理及安全防护
5.7 自动硅料清洗机简介
第6章 直拉单晶硅生长技术
6.1 直拉单晶硅工艺流程
6.2 拆炉及装料
6.3 抽空及熔料
6.4 引晶及放肩
6.5 转肩及等径
6.6 收尾及停炉
6.7 拉速、温校曲线的设定
6.8 埚升速度的计算方法
6.9 异常情况及处理方法
第7章 铸锭多晶硅工艺
7.1 光伏产业简介
7.2 铸锭多晶硅炉的结构
7.3 铸锭多晶硅工艺流程
7.4 铸锭多晶硅的优缺点
第8章 掺杂技术
8.1 杂质
8.2 导电型号
8.3 熔硅中的杂质效应
8.4 杂质的分凝效应
8.5 K_(eff)与K_0的关系
8.6 结晶后固相中的杂质分布规律
8.7 掺杂
附录1 硅的物理化学性质（300K）
附录2 硅中杂质浓度和电阻率关系
附录3 元素周期表
附录4 立方晶系各晶面（或晶向）间的夹角
附录5 无尘室的分级标准

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